【编者按】全球科技巨头三星电子再放大招！就在今天，三星正式宣布全球首款第六代高带宽内存HBM4已启动大规模量产与出货，这无疑是AI芯片领域的一枚重磅炸弹。在人工智能模型规模爆炸式增长、算力需求持续飙升的当下，内存带宽和效率已成为制约AI发展的关键瓶颈。三星此次凭借其顶尖的1c DRAM和4纳米制程工艺，不仅一举将性能标准大幅提升，更在能效和散热上实现了突破性进展。这不仅仅是技术的迭代，更是为下一代AI数据中心和GPU提供了至关重要的“血液”。谁掌握了高端内存，谁就握住了AI时代的算力钥匙。三星此举，无疑是在激烈的全球半导体竞赛中，再次巩固了其领先地位，也为未来AI应用的无限可能铺平了道路。一场由内存驱动的算力革命，已经拉开序幕！

　　三星电子于12日宣布，已开始全球首款第六代高带宽内存（HBM4）的大规模量产和出货。

　　三星电子从HBM4开发初始阶段，就设定了超越国际半导体标准组织（JEDEC）性能标准的目标。这款产品采用了最先进的1c DRAM（10纳米级第六代）技术，实现了从量产伊始就无需重新设计，便获得了稳定的良品率和业界领先的性能。

　　三星电子内存开发负责人黄尚俊（副总裁）表示：“三星电子的HBM4打破了沿用已验证工艺的惯例，采用了1c DRAM及晶圆代工（半导体合同制造）4纳米等尖端工艺。通过工艺竞争力和设计改进确保了充足的性能扩展空间，使我们能够及时满足客户对性能升级的需求。”

　　为加强HBM4的技术竞争力，三星电子在应用1c DRAM的同时，考虑到基础芯片的特性，采用了在性能和能效方面更具优势的4纳米工艺。基础芯片指的是位于HBM堆叠结构底部、负责控制电力和信号的基础芯片。

　　三星电子表示，其HBM4已稳定实现了11.7Gbps（千兆比特/秒）的运行速度，比JEDEC行业标准8Gbps高出约46%。这相比上一代产品（HBM3E）的最大引脚速度9.6Gbps提升了约1.22倍。三星电子方面人士称：“其潜力最高可达13Gbps，预计能有效缓解随着AI模型规模扩大而加剧的数据瓶颈问题。三星电子的HBM4将单堆栈总内存带宽提升至最高3.3TB/s，比之前的HBM3E高出约2.7倍，超越了客户要求的3.0TB/s水平。”

　　三星电子的HBM4通过12层堆叠技术提供24GB至36GB的容量。公司计划根据客户产品日程，应用16层堆叠技术将容量扩展至最高48GB。

　　为解决数据传输输入/输出引脚从1,024个扩展到2,048个所带来的功耗和热量集中问题，三星电子在核心芯片上应用了低功耗设计技术。核心芯片指的是构成HBM核心的、垂直堆叠的DRAM芯片。HBM由DRAM构成的核心芯片和充当控制器的基础芯片组成。

　　此外，通过应用硅通孔数据传输的低压设计技术并优化电源分配网络，能效比上一代提高了约40%。热阻特性改善了约10%，散热特性提升了约30%。

　　公司相关人士表示：“通过开发将数据输入/输出驱动电路电压从1.1V降低至0.75V的电路，TSV驱动功耗降低了约50%。它结合了为数据中心环境优化的顶级性能和稳定的可靠性。客户有望在最大化GPU计算性能的同时，降低服务器和数据中心级别的功耗及冷却成本。”

　　三星电子在逻辑、内存、晶圆代工和封装等各种半导体产业领域开展业务。随着HBM技术的演进，公司已具备提升‘基础芯片’性能的内部能力。

　　公司人士称：“通过我们内部晶圆代工工艺与HBM设计之间紧密的设计技术协同优化合作，我们计划持续开发能同时确保质量和良品率的顶级HBM。我们持续收到来自全球主要GPU以及基于自研芯片设计和开发下一代定制半导体（ASIC）的超大规模客户的HBM供应合作请求，我们将进一步扩大与他们的技术协作。”

　　三星电子正积极扩大HBM4产能，预计今年HBM销售额将比去年增长三倍以上。计划于2028年全面投产的平泽园区第二园区第5生产线，将成为HBM生产的核心枢纽。公司计划针对以AI和数据中心为中心的中长期需求扩张，持续确保稳定的供应能力。

　　继HBM4之后，三星电子正在准备HBM4E，计划在2026年下半年进行样品出货。HBM4E指的是基于HBM4基本结构，进一步提升运行速度、带宽和能效的下一代高带宽内存。此外，为客户定制的HBM也将从2027年开始陆续进行样品测试。