【编者按】在人工智能浪潮席卷全球的当下，高性能存储芯片已成为科技巨头竞逐的“新石油”。三星电子近日宣布率先量产第六代高带宽内存HBM4，不仅终结了与SK海力士、美光之间的“首发之争”，更被视为其重夺AI内存领导地位的关键一役。这场技术赛跑背后，是三星押注最先进制程的破釜沉舟，也是全球AI算力需求爆发式增长的缩影。当英伟达认证的“通行证”提前到手，当超低功耗设计直面数据中心能耗焦虑，三星能否凭借这次弯道超车，在万亿参数的AI时代重新定义存储疆界？让我们透过这场没有硝烟的战争，窥见未来算力基石如何重塑科技格局。

　　英伟达认证芯片成关键里程碑 三星借HBM4重夺AI内存王座

　　三星电子周四宣布，已开始出货第六代高带宽内存HBM4，成为首家量产这款AI关键存储芯片的制造商。这一突破性进展标志着三星在经历上代HBM技术落后于竞争对手的困境后，正全力扭转AI半导体领域的竞争态势。通过HBM4，该公司旨在重拾增长动能，抢占新一轮AI内存需求的制高点。

　　业内消息透露，三星经与客户协商后将出货时间表提前约一周。据悉，该芯片以超预期速度通过英伟达质量测试，被业内人士评价为“顶级性能的体现”。

　　三星从研发初期就立志超越全球半导体标准组织JEDEC制定的基准。为此，公司创新性地将最新1c纳米DRAM与4纳米晶圆代工工艺结合——业内人士称此举属行业首创。

　　HBM4数据处理速度高达每秒11.7Gb，较JEDEC的8Gbps基准提升46%，比前代HBM3E的9.6Gbps快22%。每堆栈内存带宽达每秒3.3TB，约为前代的2.7倍。借助12层堆叠技术，芯片容量最高支持36GB，未来16层版本预计将扩展至48GB。

　　在性能跃升的同时，三星强调HBM4采用低功耗设计，旨在降低AI数据中心和服务器的电力消耗与冷却成本。

　　随着三星周四的官宣，三大存储巨头争夺HBM4首发量产的头衔之战落下帷幕。这场持续数月的竞争在上月财报电话会后进入白热化——同城对手SK海力士在业绩说明会上透露已开始规模化生产HBM4，三星随即表示将很快启动量产，美光科技也重申按计划推进，形成三足鼎立的技术争霸局面。

　　随后市场信息出现分歧：既有传言称SK海力士已开始出货，也有消息指三星将在春节后交付。关于“全球首发”归属的争议尚未平息，又传出美光退出供应竞赛的传闻，甚至出现关于大客户订单分配的种种推测。

　　美光周三主动终结猜测，宣布已启动HBM4的量产与出货。该公司财务总监在半导体行业会议上更透露，今年HBM4产能已被预订一空。

　　业内观察指出，三星此次采取了更激进的策略，全面应用最先进制程技术。当竞争对手选择保守配置时，三星进行了一场精心谋划的高风险博弈。

　　据悉SK海力士采用1b纳米DRAM搭配台积电14纳米基础芯片，美光则使用自研DRAM基础芯片设计。而三星在DRAM和基础芯片上双线押注尖端工艺，凸显其在这场白热化HBM竞赛中收复失地的决心。

　　“三星如此高调强调‘全球首发’实属罕见，”嘉泉大学半导体学院特聘教授金永硕分析道，“这反映出公司绝不愿在HBM4乃至更广阔的AI内存领域再次落后的意志。”

　　随着HBM4量产启动，三星正加速推进技术路线图。公司计划下半年推出性能增强版HBM4E样品，并将于2027年起提供按客户需求定制的HBM芯片。据透露，市场需求异常强劲——尤其来自英伟达等正在自研AI芯片的全球超大规模云端服务商。