AMD 3D V-Cache CPU内存用于创建令人难以置信的快速RAM磁盘

   日期:2025-03-05     来源:本站    作者:admin    浏览:106    
核心提示:    重要原因:RAM驱动器传统上被认为是“格式化”的易失性内存块,用作辅助存储磁盘驱动器。与hdd甚至ssd相比,RAM磁盘的速

  

  重要原因:RAM驱动器传统上被认为是“格式化”的易失性内存块,用作辅助存储磁盘驱动器。与hdd甚至ssd相比,RAM磁盘的速度非常快,但有人能够超越目前最快的固态存储技术所能达到的速度。

  一个足智多谋的用户能够将AMD在其最新的消费者处理器中构建的微小3D缓存变成一个次要的,尽管很小的存储单元。这个特殊的“RAM磁盘”非常快,但是创建它的方法并不简单,因为它需要一些反复试验的工作。

  AMD在2022年推出了3D V-Cache技术,采用了一种新的封装解决方案,在CPU顶部堆叠了额外的缓存层。复杂的工程工作为处理器提供了大量的L3缓存,这当然比L1和L2缓存慢,但仍然足以使Ryzen 7 cpu在性能上优于竞争对手。

  今年2月,一位在X/Twitter上自称Nemez的用户首次发现了将AMD的3D V-Cache变成不可思议的快速RAM驱动器的能力。用户利用OSFMount挂载本地磁盘映像文件和创建RAM磁盘的能力,使CrystalDiskMark在具有“非常特定设置”的新创建的虚拟驱动器中运行。

  Nemez在Ryzen 7 5800x3D CPU上创建的L3缓存驱动器只有96MB的存储空间,但它足够快,可以实现182 GBps/175 GBps的读写速度。Nemez最近做了一些进一步的测试,通过高速缓存驱动器的数据吞吐量获得了更加“令人费解”的结果。

  根据PassMark Software公司的说法,该公司创建了OSFMount和其他免费基准程序,如OSForensics, Nemez创建的缓存驱动器是迄今为止软件中“最快的RAM驱动器”。正如X/Twitter上的其他用户现在强调的那样,RAM磁盘创建方法并不总是有效,并且可能产生不一致的结果。

  Nemez发现用OSFMount创建的RAM磁盘可以实现前所未有的数据传输速率,但AMD的3D V-Cache在用于预期目的时可以更快。AMD表示,第一代3D V-Cache的峰值吞吐量足以达到2tb /s,而第二代技术的数据带宽甚至更高(2.5 TB/s)。

 
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